Electrical Characteristics of p-Type Bulk Si Fin Field-Effect Transistor Using Solid-Source Doping With 1-nm Phosphosilicate Glass

Y. Kikuchi; T. Chiarella; D. De Roest; T. Blanquart; A. De Keersgieter; K. Kenis; A. Peter; P. Ong; E. Van Besien; Z. Tao; M. S. Kim; S. Kubicek; S. A. Chew; T. Schram; S. Demuynck; A. Mocuta; D. Mocuta; N. Horiguchi; Y. Kikuchi; T. Chiarella; D. De Roest; T. Blanquart; A. De Keersgieter; K. Kenis; A. Peter; P. Ong; E. Van Besien; Z. Tao; M. S. Kim; S. Kubicek; S. A. Chew; T. Schram; S. Demuynck; A. Mocuta; D. Mocuta; N. Horiguchi

doi:10.1109/led.2016.2589661

HOME > 論文 > 書誌詳細

Electrical Characteristics of p-Type Bulk Si Fin Field-Effect Transistor Using Solid-Source Doping With 1-nm Phosphosilicate Glass

Y. Kikuchi, T. Chiarella, D. De Roest, T. Blanquart, A. De Keersgieter, K. Kenis, A. Peter, P. Ong, E. Van Besien, Z. Tao, M. S. Kim, S. Kubicek, S. A. Chew, T. Schram, S. Demuynck, A. Mocuta, D. Mocuta, N. Horiguchi.

IEEE Electron Device Letters 37 [9] 1084-1087. 2016.

https://doi.org/10.1109/led.2016.2589661

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2026-09-01 18:18:47 +0900 更新時刻: 2026-11-04 07:11:38 +0900