Vacancy-type defects in InxGa1−xN grown on GaN templates probed using monoenergetic positron beams

著者	Akira Uedono, Tomohito Watanabe, Shogo Kimura, Yang Zhang, Mickael Lozac'h, Liwen Sang, Shoji Ishibashi, Nagayasu Oshima, Ryoichi Suzuki, Masatomo Sumiya.
掲載誌名	Journal of Applied Physics 114 [18] 184504 ISSN: 00218979, 10897550 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	AIP Publishing
発表年	2013
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/1.4830033
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