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著者名Akira Uedono, Tomohito Watanabe, Shogo Kimura, Yang Zhang, Mickael Lozac'h, Liwen Sang, Shoji Ishibashi, Nagayasu Oshima, Ryoichi Suzuki, Masatomo Sumiya.
タイトルVacancy-type defects in InxGa1−xN grown on GaN templates probed using monoenergetic positron beams
掲載誌名Journal of Applied Physics 114 [18] 184504
ISSN: 00218979 10897550
発表年2013
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4830033
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