Growth of InAs/GaAs quantum dots with central emission wavelength of 1.05μm using In-flush technique for broadband near-infrared light source | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Growth of InAs/GaAs quantum dots with central emission wavelength of 1.05μm using In-flush technique for broadband near-infrared light source
(Inフラッシュ方による広帯域近赤外光源のための中心波長1.05μmのInAs/GaAs量子ドット成長)

Yuji Hino, Nobuhiko Ozaki, Shunsuke Ohkouchi, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto.

Journal of Crystal Growth 378 501-505. 2013.

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.077

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作成時刻: 2016-05-24 17:07:27 +0900 更新時刻: 2026-10-08 05:54:40 +0900

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