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著者名Iwao Ohdomari, Toyohiro Chikyow, Hiroshi Kawarada, Kazuo Konuma, Masakazu Kakumu, Kazuhiko Hashimoto, Itsuro Kimura, Kenji Yoneda.
タイトルBehavior of ion‐implanted As atoms in Si during molybdenum disilicide formation
掲載誌名Journal of Applied Physics 59 [9] 3073-3076
ISSN: 00218979 10897550
発表年1986
言語English
ESIでのカテゴリ
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.336930
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