HOME > 論文 > 書誌詳細Defect dependence on depth in ion-implanted Si probed by a positron beam(陽電子ビームによるSi中のイオン注入欠陥の深さ分布の研究)藤浪真紀, 宮越達三, 澤田嗣郎, R.Suzuki, T.Ohdaira, AKAHANE, Takashi. MATERIALS SCIENCE FORUM 78-80. 2004.NIMS著者Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-11-15 00:40:56 +0900 更新時刻: 2022-11-15 00:40:56 +0900
