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Defects in 30 keV Er+-implanted SiO2/Si studied by positron annihilation and cathodoluminescence
(30keV Er+イオンを打ち込んだSiO2/Si中の欠陥の陽電子消滅とカソードルミネッセンスによる研究)

K. Hirata, H. Arai, A. Kawasuso, SEKIGUCHI, Takashi, Y. Kobayashi, S. Okada, Yoshitaka Okada, Masashi Miyagi, Kouichi Akahane, Yoshimasa Iuchi, Mitsuo Kawabe.
Journal of Applied Physics 90 [1] 192-196. 2001.
https://doi.org/10.1063/1.1371948

NIMS著者

    Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

      作成時刻: 2016-05-24 11:45:13 +0900 更新時刻: 2026-11-01 05:44:01 +0900

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