低誘電率フッ素樹脂の自立膜を、表面が変性しやすく接着性の低い基板を含む多様な基板に転写する技術を開発しました。従来の転写技術の多くが高誘電率材料に焦点を当てていたのに対し、本技術は低誘電率材料への適用拡大に貢献します。転写膜は高い破壊電界と低いリーク電流を示し、ダイヤモンドトランジスタのゲート絶縁膜として適用した場合、高い移動度、低い界面トラップ密度、ほとんどヒステリシスのない優れた動作特性が得られました。本技術は、低消費電力・高速電子デバイスへの新たな応用展開を拓きます。

作成時刻: 2026-09-15 03:06:11 +0900 更新時刻: 2026-10-16 04:33:42 +0900