A. Uedono; T. Tsutsui; T. Watanabe; S. Kimura; Y. Zhang; M. Lozac'h; L. W. Sang; S. Ishibashi; M. Sumiya

doi:10.1063/1.4795815

Point defects introduced by InN alloying into InxGa1−xN probed using a monoenergetic positron beam

著者	A. Uedono, T. Tsutsui, T. Watanabe, S. Kimura, Y. Zhang, M. Lozac'h, L. W. Sang, S. Ishibashi, M. Sumiya.
掲載誌名	Journal of Applied Physics 113 [12] 123502 ISSN: 00218979, 10897550 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	AIP Publishing
発表年	2013
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/1.4795815
この文献をMendeleyにインポート