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| 著者名 | A. Uedono, T. Tsutsui, T. Watanabe, S. Kimura, Y. Zhang, M. Lozac'h, L. W. Sang, S. Ishibashi, M. Sumiya. |
|---|---|
| タイトル | Point defects introduced by InN alloying into InxGa1−xN probed using a monoenergetic positron beam |
| 掲載誌名 | Journal of Applied Physics 113 [12] 123502 ISSN: 00218979 10897550 |
| 発表年 | 2013 |
| 言語 | English |
| DOI | 10.1063/1.4795815 |
| ESIでのカテゴリ | PHYSICS |
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