Extending emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots beyond 1.3μm by using quantum dot bi-layer for broadband light source | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Extending emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots beyond 1.3μm by using quantum dot bi-layer for broadband light source
(広帯域光源のための近接二層積層によるGaAs 基板上InAs-QD の発光長波長化)

N. Ozaki, Y. Nakatani, S. Ohkouchi, N. Ikeda, Y. Sugimoto, K. Asakawa, E. Clarke, R.A. Hogg.

Journal of Crystal Growth 378 553-557. 2013.

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.110

NIMS著者

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作成時刻: 2016-05-24 17:07:25 +0900更新時刻: 2024-04-02 03:36:33 +0900

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