HOME > 論文 > 書誌詳細Electronic structures of Si- and Te-doped CoSb3compounds under high pressures(高圧下でのSi, TeドープしたCoSb3の電子状態)Kazuaki Kobayashi, Atta Ullah Khan, Takao Mori. Japanese Journal of Applied Physics 56 [5S3] 05FB07. 2017.https://doi.org/10.7567/jjap.56.05fb07 NIMS著者小林 一昭森 孝雄Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-05-08 19:24:03 +0900 更新時刻 :2020-11-16 23:06:58 +0900