シアン処理によるアモルファス薄膜トランジスタの特性改善

H Aiyer; Nishioka D; Matsuki N; Shinno H; Chikyow Toyohiro; Kobayashi H; Koinuma H; Hemantkumar N. Aiyer; Daikichi Nishioka; Nobuyuki Matsuki; Hiroyuki Shinno; V. P. S. Perera; Toyohiro Chikyow; Hikaru Kobayashi; Hideomi Koinuma; H Aiyer; Nishioka D; Matsuki N; Shinno H; Chikyow Toyohiro; Kobayashi H; Koinuma H; Hemantkumar N. Aiyer; Daikichi Nishioka; Nobuyuki Matsuki; Hiroyuki Shinno; V. P. S. Perera; Toyohiro Chikyow; Hikaru Kobayashi; Hideomi Koinuma

doi:10.1063/1.1344230

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Improved perfomance of amorphous Si thin film stransistors by cyanide treatment
(シアン処理によるアモルファス薄膜トランジスタの特性改善)

H Aiyer, Nishioka D, Matsuki N, Shinno H, CHIKYO, Toyohiro, Kobayashi H, Koinuma H, Hemantkumar N. Aiyer, Daikichi Nishioka, Nobuyuki Matsuki, Hiroyuki Shinno, V. P. S. Perera, Toyohiro Chikyow, Hikaru Kobayashi, Hideomi Koinuma.

Applied Physics Letters 78 [6] 751-753. 2001.

https://doi.org/10.1063/1.1344230

NIMS著者

知京豊裕

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 11:43:56 +0900 更新時刻: 2026-10-01 04:57:02 +0900

Improved perfomance of amorphous Si thin film stransistors by cyanide treatment(シアン処理によるアモルファス薄膜トランジスタの特性改善)

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

Improved perfomance of amorphous Si thin film stransistors by cyanide treatment
(シアン処理によるアモルファス薄膜トランジスタの特性改善)