Conduction band caused by oxygen vacancies in aluminum oxide for resistance random access memory
(抵抗変化型不揮発性メモリ特性を示す酸化アルミニウムにおける酸素欠損に起因した伝導帯)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2016-05-24 16:47:11 +0900更新時刻: 2024-03-31 12:55:46 +0900