Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: Investigating the brightness-limiting process in Eu-doped GaN red light emitting diodes | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: Investigating the brightness-limiting process in Eu-doped GaN red light emitting diodes
(明発光中心の三次元スペクトルマッピング：Eu添加GaN赤色LEDの輝度を制限している過程の探査)

Masashi Ishii, Atsushi Koizumi, Yasufumi Fujiwara.

Applied Physics Letters 107 [8] 082106. 2015.

https://doi.org/10.1063/1.4929531

NIMS著者

石井真史

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 17:55:53 +0900更新時刻: 2024-04-02 06:19:20 +0900

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