HOME > 論文 > 書誌詳細Growth of high-quakity GaN on metallic-ZrB2 by metalorganic vapor phase epitaxy(MOCVD法によるZrB2上への良質GaNの成長)Y.Yukawa, T.Nakamura, M.Kosaki, Y.Watanabe, S.Nitta, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, OTANI, Shigeki, H.Kinoshita. INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 170 713-718. 2002.NIMS著者Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2016-05-24 11:53:12 +0900 更新時刻: 2018-12-15 01:45:05 +0900
