HOME > Profile > SAGISAKA, Keisuke
- Address
- 305-0047 1-2-1 Sengen Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
- Keywords
走査トンネル顕微鏡、金属・半導体表面、原子分解能観察
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Society memberships
日本表面真空学会, 日本物理学会
Center for Basic Research on Materials
Title
走査型トンネル顕微鏡による原子分解能表面電子状態計測
Keywords
STM,STS,原子分解能,分光,強磁場,金属,半導体,トポロジカル絶縁体,二次元物質,単分子
Overview
環境・資源・エネルギー課題を解決するための物質・材料研究において、原子・分子レベルでの特性制御と計測の重要性はますます高まっている。固体表面の原子・分子を実空間で観察可能な走査型トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscopy: STM)は電子状態計測と原子・分子操作の機能を備えた強力な研究ツールである。我々のSTM装置では、磁場印加や光照射に対する材料表面の量子状態の応答検出や、ラマン分光やフォトルミネッセンス(PL)によるナノスケールの分光測定を実施することができる。
Novelty and originality
STMでは先鋭な金属探針で表面をなぞるように電子状態測定を行う。従来、不可能であった10μm程度の微小試料への探針アプローチが可能となり、微細加工した試料や試作段階の微少試料にも適応することが出来るようになった。また、1pA以下の極微電流を検出することで、STM計測の多結晶試料への展開も進めている。
Details
Summary
● 半導体、トポロジカル絶縁体、遷移金属カルコゲナイド、磁性薄膜等の新規電子デバイス材料へ適用可能な原子分解能電子状態計測技術
● トンネル分光とラマン分光・PLを組み合わせた複合分光技術による半導体中の欠陥や単分子研究を可能とする計測技術
これらの計測技術の高度化を目指すとともに、材料の実用化に活用される基礎データの提供を行う。
この機能は所内限定です。
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