HOME > Profile > HARADA, Takayuki
- Address
- 305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Research papers
- T. Harada, P. Bredol, H. Inoue, S. Ito, J. Mannhart, A. Tsukazaki. Determination of the phase coherence length of PdCoO2 nanostructures by conductance fluctuation analysis. Physical Review B. 103 [4] (2021) 045123 10.1103/physrevb.103.045123
- T. Harada, A. Tsukazaki. Dynamic characteristics of PdCoO2/β-Ga2O3 Schottky junctions. Applied Physics Letters. 116 [23] (2020) 232104 10.1063/5.0008137
- T. Harada, K. Sugawara, K. Fujiwara, M. Kitamura, S. Ito, T. Nojima, K. Horiba, H. Kumigashira, T. Takahashi, T. Sato, A. Tsukazaki. Anomalous Hall effect at the spontaneously electron-doped polar surface of PdCoO2 ultrathin films. Physical Review Research. 2 [1] (2020) 013282 10.1103/physrevresearch.2.013282 Open Access
Presentations
- TAKANE, Hitoshi, OSHIMA, Takayoshi, HARADA, Takayuki, KANEKO, Kentaro, TANAKA, Katsuhisa. Lattice-matching epitaxy of rutile-type GexSn1−xO2 alloy films on TiO2 substrates for device applications. Compound Semiconductor Week 2024. 2024
- 原田 尚之. 金属性デラフォサイトの表面・界面物性と応用展開. 第73回化合物新磁性材料専門研究会. 2024 Invited
- HARADA, Takayuki. Application prospects of metallic delafossite thin films. 4th International Workshop on Nanoelectronics 2023. 2023 Invited
Misc
- Takayuki Harada. Surface and interface properties of quasi-two-dimensional metallic oxides. JSAP Review. (2022) 220303 10.11470/jsaprev.220303
- 原田 尚之. 擬二次元金属酸化物の表面・界面を利用した電子・磁気機能の開拓. 応用物理. 91 [7] (2022) 406-410 10.11470/oubutsu.91.7_406
Published patent applications
Society memberships
応用物理学会, 日本物理学会
Research Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA)
Title
電子機能を示す薄膜ヘテロ構造の探索
Keywords
電子材料,ヘテロ構造,薄膜結晶成長
Overview
異種の物質を積層したヘテロ構造は、単一の物質にはない性質や機能を示す。トランジスターやダイオードのように、エレクトロニクスの基本となるデバイスはヘテロ構造の特性を利用しており、新機能の開拓には新しい物質の組み合わせを見つけることが重要である。私達は特徴的な結晶構造や電子状態を持つ物質を主な対象として、新しいヘテロ構造の開発とエレクトロニクスへの応用に取り組んでいる。
Novelty and originality
● 既知の系ではなく、新しいヘテロ構造の探索に注力
● 原子レベルで制御した薄膜ヘテロ構造の作製
● データベースや密度汎関数法による計算を活用
Details
金属、半導体、超伝導体、磁性体など、結晶には様々な個性を持つものがある。スパッタリング法やパルスレーザー堆積法などの薄膜結晶成長の手法を用いると、複数の結晶を原子レベルで積層することができる。異種の結晶を積層した「ヘテロ構造」は、半導体デバイスの基礎となる構造であり、コンピューターをはじめ身近な電子機器に多く使われている。
私達は、結晶構造や電気的な性質に特徴がある結晶を組み合わせて、新しいヘテロ構造を探索している。誰も作ったことの無い新しい構造で、予想もしなかったような非自明な物性や、応用に結びつく新機能を開拓することが研究の目的である。
Summary
特徴的な結晶構造や電子状態を利用したヘテロ構造の開発を進めている。計算による物質設計と原子レベルで制御した薄膜成長技術で、次世代のエレクトロニクスに向けた新機能を実現する。
この機能は所内限定です。
この機能は所内限定です。