HOME > Profile > TSURUOKA, Tohru
- Address
- 305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
- Keywords
原子スイッチ，抵抗変化メモリ，ナノイオニクス，近接場光学
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Research papers
- 土屋 敬志, 並木 航, 鶴岡 徹, 寺部 一弥. さまざまな固体電解質/固体界面機能を利用するナノイオニクスデバイス. 固体物理. (2022) 9-23
- Wataru Hiraya, Nozomi Mishima, Takaaki Shima, Seishiro Tai, Tohru Tsuruoka, Ilia Valov, Tsuyoshi Hasegawa. Resistivity control by the electrochemical removal of dopant atoms from a nanodot. Faraday Discussions. 213 (2019) 29-40 10.1039/c8fd00099a
- Ilia Valov, TSURUOKA, Tohru. Effects of moisture and redox reactions in VCM and ECM resistive switching memories. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS. [41] (2018) 413001-1-413001-18
Books
- TSURUOKA, Tohru, クリシュナン カーティック, モハパトラ ソーミヤ ランジャン, 呉 守明, AONO, Masakazu. Solid-Polymer-Electrolyte-Based Atomic Switches. Springer, 2020
- TSURUOKA, Tohru, AONO, Masakazu. A List of Papers Related to the Atomic Switch. Springer, 2020, 22.
- TERABE, Kazuya, TSURUOKA, Tohru, TSUCHIYA, Takashi. Ionic Nanoarchitectonics: Creation of Polymer-Based Atomic Switch and Decision-Making Device. System-Materials Nanoarchitectonics. Springer, 2022, 14.
Proceedings
- ETOH, Daiki, TSUCHIYA, Takashi, KITAGAWA, Yuki, TAKAYANAGI, Makoto, TSURUOKA, Tohru, T. Higuchi, TERABE, Kazuya. Inorganic Thin Film-based Ionic Decision-maker for Adaptive Artificial Intelligence Technology. Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials. (2019) 951-952
- Kazuya Terabe, Takashi Tsuchiya, Tohru Tsuruoka, Song-Ju Kim, Masakazu Aono. Current progress of solid state ionics on information and communication device technology. Ext. Abs. the 17th International Workshop on Junction Technology 2017. (2017) 38-39
- Kazuya Terabe, Takashi Tsuchiya, Tohru Tsuruoka, Song-Ju Kim, Masakazu Aono. Current progress of solid state ionics on information and communication device technology. Ext. Abs. the 17th International Workshop on Junction Technology 2017. (2017) 10.23919/iwjt.2017.7966508
Presentations
- 鶴岡徹. 酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用. 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第173回研究集会. 2014
- TSURUOKA, Tohru. Nanosecond Fast Switching Processes Observed in Gapless-Type, Ta 2 O 5 –Based Atomic Switches. 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit. 2014
- TSURUOKA, Tohru, WAN, Xiang, TERABE, Kazuya. Retinal Image Processing Mimicked by Highly Interacted Ionic Devices. WPI-MANA International Symposium 2022. 2022
Misc
- 万 相, 鶴岡 徹, 寺部 一弥. 材料特性だけで画像のエッジ検出 網膜神経細胞の側抑制を模倣するイオニクス素子. 光学. (2022) 284-284
- 寺部 一弥, 土屋 敬志, 鶴岡 徹. イオン伝導と電気化学現象を利用して学習や判断などを可能にするイオニクスデバイス. 先端ナノデバイス・材料ナノテクノロジー第151委員会 令和2年度 第2回研究会資料. (2020) ７-12
- TERABE, Kazuya, HASEGAWA, Tsuyoshi, TSURUOKA, Tohru, AONO, Masakazu. 局所的なイオン移動を利用したナノイオニクスデバイス －原子スイッチー. 電子情報通信学会誌. 95 [4] (2012) 299-304
Patents
- No. 5493232 フラーレン構造体、その製造方法およびそれを用いた用途 (2014)
- No. 6562445 抵抗変化素子 (2019)
- No. 5598809 発光素子 (2014)
- No: 2010205686 発光素子 (2010)
- No: 2011219282 フラーレン構造体、その製造方法およびそれを用いた用途 (2011)
- No: 2012069612 電気化学トランジスタ (2012)