HOME > Proceedings > Detail酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用(Atomic Switch-type Resistive Switching memory using Oxide Nanofilms and Its Applications)鶴岡 徹, 長谷川 剛. 電子情報通信学会技術研究報告 85-90. 2014.NIMS author(s)TSURUOKA, TohruFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-27 02:41:02 +0900Updated at: 2017-03-17 04:54:52 +0900