TIGHT-BINDING 分子動力学法を用いたSI表面の酸化過程におけるSIOの脱離挙動
(TIGHT-BINDING HOLECALAR DYNAMICAS SIMULATION ON THE DESORPTION PROCESS OF SIO MOLECULE DURING THE OXIDATION OF SI SURFACE.)
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会. 1998年08月20日-1998年08月21日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-18 01:32:32 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:50:37 +0900