GaAs(110)表面上InAs成長における歪み緩和機構
(Strain Relaxation Mechanism in the Growth of InAs on GaAs (110) Surfaces Studied by Scanning Tunneling Microscopy)
第19回電子材料シンポジウム. 2000年06月28日-2000年06月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 02:14:21 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:13:41 +0900