HOME > Presentation > Detail-123の本質的なジョセフソンJunctionsにおけるフラッシュメモリ効果(Flash Memory Effect in Y-123 Intrinsic Josephson Junctions)羽多野 毅, 長尾 雅則, 稲本 悠也, 王 華兵. 第9回超伝導物質と発現機構国際会議. September 07, 2009-September 12, 2009.NIMS author(s)HATANO, TakeshiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:29:46 +0900Updated at: 2017-07-10 20:32:39 +0900