BN, AlNポリタイプ（多形、2H〜6H, 10H）の第一原理計算
(First-Principles Study of BN and AlN Polytypes (2H - 6H, and 10H))
第17回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究. 2008年12月08日-2008年12月09日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 05:51:17 +0900 更新時刻: 2018-06-05 12:23:41 +0900