As Coverage of (2×4), c(4×4) and (2×3) Reconstructed GaAs(001) Surfaces.
(GaAs(001)表面におけるAs吸着相c(4×4)および(2×3)のAs被覆率.)
半導体物理国際会議. 1992年08月10日-1992年08月14日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:43:07 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:14:32 +0900