Focused Ion Beam Inaterface wiht 200KeVTEM for the In-Situ Observation of the Lithography of the Semiconductors
(半導体の微細加工のその場観察のための200KeVTEM用集束イオンビームインターフェイス)
第１３回国際電子顕微鏡学会. 1994年07月17日-1994年07月22日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-18 00:51:10 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:29:27 +0900