HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Ab initio study of the role of Se vacancies in p-type doping of Nb-substituted WSe2(Nb 置換 WSe₂の p 型ドーピングにおける Se 空孔の役割:第一原理計算)LU, Anh Khoa Augustin, KANAHASHI Kaito, NAGASHIO Kosuke, WATANABE Satoshi. 現代表面科学の到達点とフロンティアを越えて. 2026年02月16日-2026年02月18日.NIMS著者ルー アン コア オーグスティンMaterials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2026-05-28 03:07:11 +0900 更新時刻: 2026-05-28 03:07:11 +0900