微小重力下での浮遊帯域溶融法による化合物半導体結晶の育成.
(Single Crystal Growth of Semiconduction Compound by Floating Zone Method in micro Gravity.)
第10回宇宙利用杓累灼角. 1993年07月01日-1993年07月02日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 00:42:33 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:24:20 +0900