HOME > Presentation > Detail高圧下でのSi,TeドープしたCoSb3の電子状態(Electronic structure of Si and Te doped CoSb3 under high pressure)小林 一昭, カーン アタ ウラ, 森 孝雄. HPSP-17 & WHS. August 07, 2016-August 11, 2016.NIMS author(s)KOBAYASHI, KazuakiMORI, TakaoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 05:12:09 +0900 Updated at: 2017-07-10 22:28:23 +0900