原子混合・オージェ電子逃避深さと表面荒さの関連性から見た炭化珪素薄膜のオージェ深さプロフィルのシミュレーション
(Simulation of auger depth profiles of thin SiC-layers with respect to atomic mixing auger electron escape depth and surface roug)
7th Eupopean Conference on Applications of Surface and Interface. 1997年06月16日-1997年06月20日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:09:16 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:42:51 +0900