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InSb基板上への組成勾配層を含むAllnSb/GalnSbDH構造のエピタキシャル成長.
(Epitaxial Growth of AllnSb/GalnSb DH Structure on InSb Substrate with Buffer Layer Graded.)

橋本伸哉, 橋本伸哉, 小口 信行.
応用物理学会. 1989年09月27日-1989年09月30日.

NIMS著者


    Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


      作成時刻: 2017-02-18 00:16:45 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:09:01 +0900

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