Surface Stress in thin silicon Oxide Layer made by Plasma Oxidation with Applying Sample Bias
(試料バイアスをかけてプラズマ酸化したシリコン酸化した膜中に生じる表面応力)
Third International Symposium in Control of Semiconductor Interf. 1999年10月25日-1999年10月29日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 01:43:20 +0900 更新時刻: 2023-04-09 15:12:17 +0900