400kV高分解能透過電子顕微鏡法によるSi(110)単結晶中の点欠陥の観察
(Observation of Point Defects in a Si(110)Single Crystal by 400kV HRTEM)
日本物理学会 1996年秋の分科会. 1996年10月01日-1996年10月04日.
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作成時刻: 2017-02-18 01:09:42 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:38:50 +0900