多段階処理法によるSi-Ge-C系量子ドットの成長
(Quatum dot growth in the Si-Ge-C system through multi-step procedure)
APF-6. 2001年03月05日-2001年03月09日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 02:11:52 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:12:20 +0900