高密度InAlAsアンチドット埋め込みヘテロ接合チャネルにおける電子散乱
(Electron scatterings in selectively doped n-AlGaAs/GaAs heterojunctions with high density self-assembled InAlAs antidots)
2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:14:10 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:26:23 +0900