シリサイド薄膜のスパッタエッチングレートのイオンエネルギー依存性
(The Ion Energy Dependence of Sputter Etching Rate for CoSi2, NiSi2, TiSi2 and WSi.)
第62回応用物理学会学術講演会. 2001年09月11日-2001年09月14日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 02:22:06 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:17:37 +0900