原子層制御成膜法で形成された界面シリケート層がフラットバンドに及ぼす効果
(Effects of Oxidizer Dose and Temperature on Interfacial Silicate Formationand Flatband Voltage in ALD)
2002 International conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIA. 2002年09月17日-2002年09月19日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:36:46 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:26:07 +0900