Possibleexplanation of the temperature dependance of diagonal resistivity at v=1 in thrme of skyrmion backscatterings
(v=1 量子ホール効果状態における対角電気抵抗率の温度依存性に対するスカーミオン後方散乱による説明)
The 12th International Conference on the Electronic Properties o. 1997年09月22日-1997年09月26日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 01:19:13 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:43:58 +0900