HOME > 口頭発表 > 書誌詳細フェニル基終端Siナノクラスターの電子構造(Electronic Structure of Si Nanoclusters with the Phenyl-Passivation)今村真幸, 藤正修司, 保田英洋, 上田 茂典, 小林 啓介, 高橋和敏, 鎌田雅夫, 小林宏成, 根岸雄一. 日本物理学会2011年秋季大会. 2011.NIMS著者上田 茂典Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 04:24:21 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:07:57 +0900