HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MBE法によるAlを高濃度に添加したZnO薄膜の作製とその電気的・光学的性質(Fabrication of the heavily Al-doped ZnO thin films by MBE and their elecrtic and optical properties)大垣 武, 川村裕二, 大橋 直樹, 掛本博文, 和田智志, 安達 裕, 羽田 肇, 鶴見敬章. 2002年秋季第63回応用物理学会学術講演会. 2002年09月24日-2002年09月27日.NIMS著者大垣 武大橋 直樹安達 裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-18 02:43:32 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:27:58 +0900