HOME > 口頭発表 > 書誌詳細30H-AlNポリタイプの第一原理計算(First-principles study of 30H-AlN polytypes)小林 一昭, 小松 正二郎. 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2010.NIMS著者小林 一昭Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 04:02:10 +0900 更新時刻 :2017-07-10 20:55:58 +0900