HOME > 口頭発表 > 書誌詳細窒化物半導体合金中の陽イオン空孔における局所構造と陽電子消滅パラメータの間の相関の計算科学的研究(Computational study of correlation between local structures and positron annihilation parameters for cation vacancies in nitride semiconductor alloys)石橋 章司, 木野 日織, 三宅 隆, 寺倉 清之, 上殿明良. 平成28年度「陽電子科学とその理工学への応用」 専門研究会. 2016.NIMS著者木野 日織三宅 隆Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:17:32 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:32:56 +0900