新規層状オキシカルコゲナイド半導体薄膜を用いたSWIRフォトダイオードの作製と評価
(Fabrication and Characterization of Short-Wavelength Infrared Photodiodes Using a Layered Oxychalcogenide Semiconductor Thin Film)
2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026年09月08日-2026年09月11日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-09-29 03:10:45 +0900 更新時刻: 2026-09-29 03:10:45 +0900