硬 X 線光電子分光による Eu(Rh1&#8211;xIrx)2Si2 の温度誘起価数転移の研究

硬 X 線光電子分光による Eu(Rh1–xIrx)2Si2 の温度誘起価数転移の研究
(HAXPES Study on Temperature-Induced Valence Transition of Eu(Rh1–xIrx)2Si2)

T. Matsumoto, K. Ichiki, H. Anzai, K. Abe, S. Ishihara, R. Takeshita, T. Uozumi, 佐藤仁, A. Rousuli, 上田茂典, Y. Taguchi, T. Fujimoto, E. Kishihara, A. Mitsuda, H. Wada, 三村功次郎.

日本物理学会　2016年秋季大会. 2016年09月13日-2016年09月16日.

NIMS著者

上田茂典

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2017-01-08 04:25:58 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:00:34 +0900

硬 X 線光電子分光による Eu(Rh1–xIrx)2Si2 の温度誘起価数転移の研究(HAXPES Study on Temperature-Induced Valence Transition of Eu(Rh1–xIrx)2Si2)

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硬 X 線光電子分光による Eu(Rh1–xIrx)2Si2 の温度誘起価数転移の研究
(HAXPES Study on Temperature-Induced Valence Transition of Eu(Rh1–xIrx)2Si2)