硬 X 線光電子分光による Eu(Rh1-xIrx)2Si2 の温度誘起価数転移の研究 II

硬 X 線光電子分光による Eu(Rh1-xIrx)2Si2 の温度誘起価数転移の研究 II
(HAXPES Study on Temperature-Induced Valence Transition of Eu(Rh1-xIrx)2Si2 II)

T. Matsumoto, K. Ichiki, H. Anzai, K. Abe, S. Ishihara, R. Takeshita, T. Uozumi, H. Sato, A. Rousuli, 上田茂典, Y. Taguchi, T. Fujimoto, E. Kishihaba, A. Mitsuda, H. Wada, K. Mimura.

日本物理学会2017年秋季大会. 2017年09月21日-2017年09月24日.

NIMS著者

上田茂典

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2017-08-31 22:29:10 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:12:14 +0900

硬 X 線光電子分光による Eu(Rh1-xIrx)2Si2 の温度誘起価数転移の研究 II(HAXPES Study on Temperature-Induced Valence Transition of Eu(Rh1-xIrx)2Si2 II)

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硬 X 線光電子分光による Eu(Rh1-xIrx)2Si2 の温度誘起価数転移の研究 II
(HAXPES Study on Temperature-Induced Valence Transition of Eu(Rh1-xIrx)2Si2 II)