分子線エピタキシーによるSi(111) 基板上GaAs/GaAsBi コア-シェルナノワイヤ成長
(Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaAsBi core-shel nanowires on Si(111))
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:04:21 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:22:31 +0900