HOME > Presentation > DetailAtomic switch: Development of resistive switching memories based on nanoscale migration of cations in oxide thin films(抵抗変化メモリ(ReRAM)の現状と展望:絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として)TSURUOKA, Tohru. 第23回 相変化記録研究会シンポジウム(PCOS2011). November 17, 2011-November 18, 2011. InvitedNIMS author(s)TSURUOKA, TohruFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2022-09-05 13:20:15 +0900Updated at: 2024-03-05 11:43:43 +0900