HOME > 口頭発表 > 書誌詳細液滴エピタキシーを用いたInGaAs量子ドット成長と歪みを利用した自己配列制御(Fabrication of InGaAs QDs by droplet epitaxy and formation of QD arrays by self-organized anisotropic strain engineering)間野 高明, 塚本 史郎, 小口 信行, 尾嶋正治, Richard Notzel, Joachim H. Wolter. 2004年秋季応用物理学学術講演会. 2004. 招待講演NIMS著者間野 高明Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:04:37 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:40:13 +0900