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高移動度(111)B 面をチャネルに有する三角形状 InGaAs-OI nMOSFET
(Triangular InGaAs-OI nMOSFET with high mobility (111)B surfaces )

T. Irisawa, M. Oda, K. Ikeda, Y. Moriyama, E. Mieda, ジェバスワン ウイパコーン, Tatsuro Maeda, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, T. Tezuka.
The 61st JSAP Spring Meeting 2014. 2014年03月17日-2014年03月20日.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

    作成時刻: 2017-02-14 11:01:59 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:05:13 +0900

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