HOME > 口頭発表 > 書誌詳細高移動度(111)B 面をチャネルに有する三角形状 InGaAs-OI nMOSFET (Triangular InGaAs-OI nMOSFET with high mobility (111)B surfaces )T. Irisawa, M. Oda, K. Ikeda, Y. Moriyama, E. Mieda, ジェバスワン ウイパコーン, Tatsuro Maeda, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, T. Tezuka. The 61st JSAP Spring Meeting 2014. 2014.NIMS著者ジェバスワン ウイパコーンMaterials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:01:59 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:05:13 +0900