Post-Growth Anealing of GaSb Quantum Dots in GaAs formed by Droplet Epitaxy
(液滴エピタキシー法により作製したGaSb量子ドットの後熱処理)
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors. 2013年05月19日-2013年05月23日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 14:09:11 +0900 更新時刻: 2022-09-05 14:09:11 +0900