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HfO2 成膜前アニールにより形成した GaO x パッシベーション層形成による Sub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFET の電子移動度向上
(Electron mobility improvement due to GaOx passivation layer formed by pre-deposition anneal in HfO2 /In0.53Ga0.47As nMISFET with sub-1.0 nm EOT)
The 75th JSAP Autumn Meeting, 2014. 2014. Invited
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Created at: 2017-02-14 11:34:54 +0900Updated at: 2024-03-05 11:45:33 +0900