スピントロニクス分野における新規トンネルバリア材料：MgAl2O4
(A new tunnel barrier material in spintronics: MgAl2O4)
Global e-Workshop on Semiconductor Technology. 2012. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:37:02 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:43:58 +0900